4 元器件类工程 4．1 微电子与集成电路 4．1．1 微电子技术 微型电子电路技术的简称，是现代信息技术的基础。 4．1．2 集成电路 分为小规模(SSI)、中规模(MSI)、大规模(LSI)、超大规模(VLSI)及特大规模(ULSI)集成电路。 4．1．3 MOS集成电路 具有功耗低、集成度高等特点，宜用作数字集成电路。 4．1．4 CMOS集成电路 具有微功耗、高噪声容限、宽工作电压范围、高逻辑摆幅、高输入阻抗、高扇出能力、低输入电容、宽工作温度范围等特点。 4．1．5 BiCMOS集成电路 特点是将双极(bipolar)工艺和CMOS工艺兼容，在同一芯片上以一定的电路形式将双极型电路和CMOS电路集成在一起，兼有高密度、低功耗和高速大驱动能力等特点，可制造出性能优良的模/数混合电路。 4．1．6 半导体整流器 通常使用硒、氧化亚铜、锗、硅等半导体材料。 4．1．7 晶体管 包括结型晶体管和场效应晶体管。具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等功能。 4．1．8 可控硅整流管 在正向工作时是一种双稳态器件。三个电极分别称为阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。 4．1．10 砷化镓光耦合器件 光耦合器(optical coupler，OC)亦称光电隔离器，简称光耦。OC以光为媒介传输电信号，对输入、输出电信号有良好的隔离作用，在各种电路中被广泛应用。OC一般由光的发射、光的接收及信号放大三部分组成。 4．1．11 光电晶体管 主要分为双极型光晶体管、场效应光晶体管。 4．1．12 红外探测器 一个红外探测器至少有一个对红外辐射产生敏感效应的物体，称为响应元。此外，还包括响应元的支架、密封外壳和透红外辐射的窗口。有时还包括制冷部件、光学部件和电子部件等。 4．1．14 发光二极管 包括红光、绿光、黄光、蓝光、白光等发光二极管。 4．1．15 线宽 也称为关键尺寸，是定义IC工艺先进水平和制造复杂性水平的主要指标。 4．1．16 硅片 按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至更大规格。